半导体等离子去胶机是半导体制造工艺中的关键设备,主要用于去除光刻胶、残留物或污染物。它利用等离子体的高能特性,通过物理或化学作用实现高效、精准的去胶和表面处理。
一、半导体等离子去胶机核心功能与原理:
1.核心功能:
去胶:去除光刻工艺后残留的光刻胶(正胶或负胶)。
表面清洁:清除晶圆表面的有机物、氧化物或颗粒污染物。
表面活化:增强晶圆表面活性,提高后续工艺(如镀膜、键合)的附着力。
蚀刻:选择性去除特定材料(如氧化层),用于精细图形处理。
2.工作原理:
通过等离子体(由气体电离产生的高能离子和自由基)与光刻胶或污染物发生化学反应或物理轰击,实现材料去除。
常见气体包括氧气、氟化气体、氩气等,根据工艺需求选择。
二、半导体等离子去胶机行业应用场景:
1.半导体制造:
光刻工艺后清洗:去除光刻胶残留,避免影响后续刻蚀或沉积工艺。
先进封装:在3D封装、TSV(硅通孔)等工艺中,用于清洁芯片表面或去除临时键合胶。
MEMS制造:去除光刻胶和释放微结构(如谐振器、传感器)。
2.集成电路(IC)生产:
在晶圆减薄、切割前清洁表面,防止污染。
在金属线键合前处理焊盘表面,提高键合强度。
3.LED与光电器件:
去除LED芯片表面的光刻胶或荧光粉残留。
清洁光伏电池表面,提升光电转换效率。
4.功率器件与第三代半导体:
用于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体的表面处理,去除高粘性光刻胶。
在IGBT、MOSFET等功率器件制造中,清洁金属层或介质层。
5.先进封装技术:
在扇出型封装(Fan-out)、系统级封装(SiP)中,用于去除临时键合胶或清洁RDL(重布线层)。
6.科研与新材料领域:
在纳米材料、石墨烯等新型材料的制备中,用于表面清洁或图形化处理。
支持高校、研究所的微纳加工实验。
