半导体等离子去胶机使用中容易受到哪些因素影响

　　半导体指在常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。在集成电路、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，比如二极管就是采用半导体制作的。
 

　　半导体等离子去胶机主要用于光刻胶的剥离或灰化，也可用于去除有机和无机残留物，提高孔与铜镀层的附着力，去除炉渣，提高键合可靠性，防止内部镀铜开路，清洗微电子元器件，电路板上钻孔或铜线框，提高附着力，消除键合问题等，用途广泛。

　　半导体等离子去胶机使用中容易受到哪四大因素影响：

　　1、调整合适的频率：

　　频率越高，氧越容易电离形成等离子体。如果频率过高，使电子振幅短于其平均自由程，电子与气体分子碰撞的概率就会降低，导致电离率降低。

　　2、氧气流量的调整：

　　氧气流量大，活性颗粒密度大，脱胶速率加快；但如果通量过大，离子的复合几率增加，电子运动的平均自由程缩短，电离强度反而降低。如果回转室的压力不变，流量增加，则还增加了被抽出的气体量，也增加了不参与回转的活性颗粒量，因此流量对脱胶率的影响不是很显著。

　　3、调整适当的功率：

　　关于一定量的气体，功率大，等离子体中活性粒子的密度也高，脱胶速度也快；但当功率增加到一定值时，响应消耗的活性离子达到饱和，脱胶速度随功率的增加不明显增加。由于功率大，衬底温度高，需要根据技术要求调整功率。

　　4、调整合适的真空度：

　　适当的真空度可以使电子运动的平均自由程更大，因此从电场中获得的能量更大，有利于电离。此外，当氧气流量必须准时时，真空度越高，氧气的相对份额越大，活性颗粒浓度越大。但如果真空度过高，活性粒子的浓度反而会降低。