半导体等离子去胶机频率|真空度|功率|氧气流量的调整

　　半导体等离子去胶机是一种全新的高科技技术，利用等离子体来达到常规清洗方法无法达到的效果。可用于光刻胶灰化/残胶去除和表面处理，该设备能在不破坏晶片和其他所用材料的外观特性、热力学特性和电气特性的前提下，清洗和去除晶片表面的有害杂质，这对于通用性非常重要，半导体元件的稳定性和集成度。否则会对半导体元器件的性能指标造成严重的问题和干扰，严重影响产品合格率，阻碍半导体元器件的整体发展。

　　等离子去胶机主要是依靠等离子体中活性粒子的“活化作用”达到去除物体表面污渍的目的。就反应机理来看，等离子体清洗通常包括以下过程：无机气体被激发为等离子态；气相物质被吸附在固体表面；被吸附基团与固体表面分子反应生成产物分子；产物分子解析形成气相；反应残余物脱离表面。

　　半导体等离子去胶机频率|真空度|功率|氧气流量的调整

　　将待拆模插入石英舟内平行气流方向推至真空室两电极之间，抽真空至1.3Pa，引入适量氧气，保持反应室压力在1.3-13Pa，加高频功率，电极间产生薰衣草辉光放电。通过调节功率、流量等工艺参数，可获得不同的脱胶率。当去除胶膜时，辉光消失。

　　1、调整合适的频率：

　　频率越高，氧越容易电离形成等离子体。如果频率过高，使电子振幅短于其平均自由程，电子与气体分子碰撞的概率就会降低，导致电离率降低。通常，公共频率为13.56MHz和2.45GHz。

　　2、调整合适的真空度：

　　适当的真空度可以使电子运动的平均自由程更大，因此从电场中获得的能量更大，有利于电离。此外，当氧气流量必须准时时，真空度越高，氧气的相对份额越大，活性颗粒浓度越大。但如果真空度过高，活性粒子的浓度反而会降低。

　　3、调整适当的功率：

　　关于一定量的气体，功率大，等离子体中活性粒子的密度也高，脱胶速度也快；但当功率增加到一定值时，响应消耗的活性离子达到饱和，脱胶速度随功率的增加不明显增加。由于功率大，衬底温度高，需要根据技术要求调整功率。

　　4、氧气流量的调整：

　　氧气流量大，活性颗粒密度大，脱胶速率加快；但如果通量过大，离子的复合几率增加，电子运动的平均自由程缩短，电离强度反而降低。如果回转室的压力不变，流量增加，则还增加了被抽出的气体量，也增加了不参与回转的活性颗粒量，因此流量对脱胶率的影响不是很显著。